電特性檢測報(bào)告:KSZ8873MLLI測試

日期：2021-08-19 13:05:27 瀏覽量：5334 作者：創(chuàng)芯在線檢測中心

型號(hào) ：KSZ8873MLLI

器件品牌 ：Microchip

器件封裝 ：64-lead LQFP

樣品數(shù)量 ：5 片 

檢測數(shù)量 ：5 片 

收樣日期 ：2021/08/11 

測試日期 ：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40

測試項(xiàng)目：

電特性測試、高低溫試驗(yàn)

測試方法及測試設(shè)備 

1.1 測試標(biāo)準(zhǔn)：

MIL-STD-883L-2019 ? 

GJB 128A-1997 

1.2 恒溫箱

設(shè)備規(guī)格: JW-2001 

1.3 功能測試設(shè)備

半導(dǎo)體管特性圖示儀 XJ4822： 

用示波管顯示半導(dǎo)體器件各種特性曲線，并測量其靜態(tài)參數(shù)，用于測量晶體管，二極管，MOSFET 和其他半導(dǎo)體器件。 最大集電極電壓高達(dá)3KV（可選） 步進(jìn)電壓±10V +△VB ±5V，內(nèi)部電阻低，特別適用于測試大功率VMOS器件。

1.4 檢測環(huán)境

環(huán)境溫度: 25±5℃ 

環(huán)境相對(duì)濕度: 45%-65%RH

1.5 檢測依據(jù)

《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf 

電特性測試：

高低溫試驗(yàn)： 

測試步驟： 

1、常溫測試電特性是否合格； 

2、150 度高溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測試電特性是否合格； 

3、-55 度低溫放置一小時(shí)，取出后測試電特性是否合格；

1.芯片描述 

高級(jí)開關(guān)功能 綜合配置寄存器 支持優(yōu)先 QoS/CoS 數(shù)據(jù)包 每個(gè)端口，802.1p 和基于 DiffServ 經(jīng)過驗(yàn)證的集成 3 端口 10/100 以太網(wǎng)交換機(jī) 開關(guān)監(jiān)測功能 低功耗 

2.封裝尺寸

3.來料信息

4.高低溫試驗(yàn)

測試步驟： 

1、常溫測試電特性是否合格；

2、150 度高溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測試電特性是否合格； 

3、-55 度低溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測試電特性是否合格； 

高低溫試驗(yàn)程序設(shè)定如下：

5.電特性測試

依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：GJB 128A-1997

使用半導(dǎo)體管特性圖示儀驗(yàn)證芯片管腳電特性曲線，通過開路/短路測試檢查芯片是否損壞。

電特性測試結(jié)論：