集成電路 NCV57101DWR2G 失效分析報告
日期：2024-11-04 16:34:16 瀏覽量：1232 作者：創(chuàng)芯在線檢測中心
綜上分析推測失效品因EOS/ESD導致die內(nèi)部金屬層和絕緣層區(qū)域出現(xiàn)擊穿燒毀痕跡，從而引起短路失效。
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綜上分析推測失效品因EOS/ESD導致die內(nèi)部金屬層和絕緣層區(qū)域出現(xiàn)擊穿燒毀痕跡，從而引起短路失效。
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