失效分析
砷化鎵銦微光顯微鏡
描述：
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。區(qū)別在于InGaAs可偵測的波長較長，范圍約在900nm到1600nm之間，等同于紅外線的波長區(qū)， EMMI則是在350nm到1100nm。InGaAs相較EMMI，更適用在檢測先進制程組件的缺陷，原因在于尺寸小的組件，相對操作電壓也隨之降低，使得熱載子所激發(fā)出的光波長變得較長，而InGaAs就非常適合用于偵測先進制程產(chǎn)品的亮點、熱點(Hot Spot)定位。
應(yīng)用范圍：
半導(dǎo)體失效分析、通訊領(lǐng)域中光斑分析、光學(xué)相控陣等。
檢測圖片：
InGaAs hot spot：偵測到die內(nèi)部電路局部有異常點，便于失效分析后續(xù)去層和FIB分析。
EMMI 與InGaAs比較，相同熱點、亮點(Hot Spot)的狀況下，EMMI與InGaAs偵測的強度落差,InGaAs 在失效分析領(lǐng)域中更適合偵測芯片的微小漏電，定位更精確。
檢測設(shè)備：
檢測優(yōu)勢：
偵測 缺陷(Defect)時間比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可偵測到微小電流及先進制程的缺陷(Defect)。
可偵測到較輕微的 Metal Bridge。
針對 芯片 背面(Back-Side)的定位分析，紅外光對硅基板穿透率較高。 偵測的到亮點、熱點(Hot Spot)情況：
接面漏電(Junction Leakage)
Contact Spiking
熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)
閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)
閘極氧化層缺陷或漏電(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N Current)
多晶硅的細絲殘留 (Poly-Silicon Filaments)
硅基底損傷( Substrate Damage)
機械性損傷(Mechanical Damage)
接面崩潰( Junction Avalanche)等
