集成電路失效分析報(bào)告:AT24C04C-SSHM-T檢測

日期：2021-08-18 17:18:15 瀏覽量：12036 作者：創(chuàng)芯在線檢測中心

產(chǎn)品名稱：集成電路 

產(chǎn)品型號(hào)：AT24C04C-SSHM-T

收樣日期:2021.07.28

分析時(shí)間:2021.07.28-2021.07.31

樣品數(shù)量編號(hào)：不良物料 2 片編號(hào) F1，F(xiàn)2 未上機(jī)樣品 1 片編號(hào) G1

分析項(xiàng)目:外觀檢查、電特性分析、X-ray 檢查

分析環(huán)境條件：常溫 25±5oC，濕度 40%~65% RH

分析依據(jù):GJB548B-2005 微電子器件實(shí)驗(yàn)方法和程序 方法 5003

結(jié)論：由于外觀和 X-ray 檢查結(jié)果均發(fā)現(xiàn)與 G1 樣品不同的絲印規(guī)則與封裝設(shè)計(jì)，因此根據(jù)應(yīng) 用端描述與綜上測試結(jié)果分析認(rèn)為器件整機(jī)測試不良可能是由于不同廠商設(shè)計(jì)的器件驅(qū) 動(dòng)能力不同造成。

A.失效分析步驟

1 失效現(xiàn)象描述：

芯片整機(jī)測試不良，不良率 0.5%，2 片。 

2 分析過程：

2.1 外觀檢查：

外觀檢查發(fā)現(xiàn) F1 和 F2 失效樣品均不符合 AMTEL 廠商絲印規(guī)則，對(duì)所有樣品觀察均未發(fā)現(xiàn)破損、斷 腳等異常現(xiàn)象。

2.2、電特性分析：

2.3、X-ray 檢查： 對(duì) F1,F2 與 G1 樣品對(duì)比測試，結(jié)果如下： 框架結(jié)構(gòu)不同的樣品：F1,F2&G1 Die 不同的樣品：F1&F2, F1&G1, F2&G1 鍵合線材質(zhì)疑似不同的樣品：F1,F2&G1

3. 綜合分析及結(jié)果： 

測試結(jié)果： 

外觀檢查發(fā)現(xiàn) F1 和 F2 失效樣品均不符合 AMTEL 廠商絲印規(guī)則，對(duì)所有樣品觀察均未發(fā)現(xiàn)破損、斷 腳等異?，F(xiàn)象。 對(duì) F1,F2 與 G1 樣品對(duì)比測試，結(jié)果如下： 框架結(jié)構(gòu)不同的樣品：F1,F2&G1 Die 不同的樣品：F1&F2, F1&G1, F2&G1 鍵合線材質(zhì)疑似不同的樣品：F1,F2&G1 電特性測試分析驗(yàn)證 F2 樣品清空不為空，無法重新燒錄。 

產(chǎn)品故障失效原因： 

由于外觀和 X-ray 檢查結(jié)果均發(fā)現(xiàn)與 G1 樣品不同的絲印規(guī)則與封裝設(shè)計(jì)，因此根據(jù)應(yīng)用端描述與綜 上測試結(jié)果分析認(rèn)為器件整機(jī)測試不良可能是由于不同廠商設(shè)計(jì)的器件驅(qū)動(dòng)能力不同造成。 

改善建議

1.更換符合設(shè)計(jì)電路的器件使用； 

2.建議原廠對(duì)不良批次物料進(jìn)行多次封裝可靠性驗(yàn)證，排除封裝隱患；