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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）誕生于1980年前后，其發(fā)明要遠(yuǎn)遠(yuǎn)晚于BJT三極管與MOSFET。如此一來，這一新生器件自然也是結(jié)合了“前輩”們的優(yōu)點(diǎn)。從等效電路圖上來看，IGBT本質(zhì)上是一個(gè)MOSFET加一個(gè)BJT復(fù)合而成，并且也具備MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩大特點(diǎn)。

2024-08-15 11:17:00

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電子元器件的可靠性檢測(cè)是確保其在實(shí)際應(yīng)用中性能穩(wěn)定和壽命長(zhǎng)的重要環(huán)節(jié)。以下是一些主要的可靠性檢測(cè)方法：

2024-08-14 15:00:00

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電子產(chǎn)品的外觀缺陷檢測(cè)是確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié)。以下是一個(gè)系統(tǒng)的外觀缺陷檢測(cè)方案，包括檢測(cè)方法、設(shè)備應(yīng)用和實(shí)施步驟。

2024-08-14 14:00:00

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虛焊是指電子元器件與電路板之間的焊接不良，可能導(dǎo)致接觸不良、信號(hào)干擾或完全失效。以下是一些常用的虛焊檢測(cè)方法和技巧：

2024-08-13 15:00:00

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測(cè)試IC芯片是確保其性能和可靠性的重要步驟。在進(jìn)行測(cè)試之前，必須做好充分的準(zhǔn)備。以下是測(cè)試IC芯片的全流程詳解，包括準(zhǔn)備工作和測(cè)試步驟。

2024-08-13 14:00:00

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電子產(chǎn)品老化測(cè)試是評(píng)估產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用過程中性能穩(wěn)定性和可靠性的重要手段。以下是幾種常見的老化測(cè)試類型：

2024-08-12 15:00:00

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電子元器件失效分析是識(shí)別和理解電子元器件失效原因的過程，以便采取措施提高產(chǎn)品的可靠性和性能。以下是電子元器件失效分析的常見方法、類型及其原因：

2024-08-12 14:00:00

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機(jī)械零件的失效形式多種多樣，通常可以歸納為以下幾種常見類型及其原因：

2024-08-09 15:00:00

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電子元器件篩選是確保電子產(chǎn)品質(zhì)量和性能的重要環(huán)節(jié)。以下是常見的篩選方法及其目的：

2024-08-09 14:00:00

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檢測(cè)IC芯片的好壞是確保電子產(chǎn)品功能正常的重要步驟。以下是常見的IC芯片檢測(cè)方法及注意事項(xiàng)： 1. 檢測(cè)方法 a. 視覺檢查 描述：通過顯微鏡或放大鏡檢查芯片的外觀，尋找物理?yè)p傷、焊接缺陷或污染。 注意事項(xiàng)：檢查引腳是否彎曲、缺失或有氧化現(xiàn)象。 b. 功能測(cè)試 描述：將芯片放置在測(cè)試電路中，驗(yàn)證其是否按照規(guī)格書正常工作。 注意事項(xiàng)：確保測(cè)試電壓和頻率符合芯片規(guī)格，避免損壞。 c. 靜態(tài)測(cè)試 描述：對(duì)芯片的輸入和輸出引腳進(jìn)行電壓和電流測(cè)量，檢查是否符合預(yù)期值。 注意事項(xiàng)：使用高精度的萬(wàn)用表，確保

2024-08-08 16:00:00

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